Память типа HBM, состоящая из нескольких слоев, считается одной из самых быстрых, однако её производство остаётся дорогостоящим и сложным. Как сообщает издание Business Korea, организация JEDEC планирует внести изменения в требования к высоте стека HBM4E, что облегчит жизнь производителям как текущего, так и последующих поколений.
На данный момент максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, а для HBM4 — 775 мкм. Ожидается, что у HBM4E этот предел увеличится до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и, соответственно, повысить ёмкость стека. В настоящее время HBM3E может включать до 12 ярусов, но уже имеются образцы 16-ярусных чипов HBM3E и HBM4.
Смягчение требований имеет ряд преимуществ: сохранение существующих технологий упаковки чипов и снижение уровня брака. Однако южнокорейские производители, такие как Samsung и SK hynix, уже производят чипы, превосходящие текущие стандарты, и опасаются, что ослабление требований откроет двери для конкурентов, особенно из Китая.