Компания Samsung анонсировала старт массового производства и коммерческих поставок памяти HBM4, став первой фирмой, доведшей эту технологию до стадии реального продукта. Ключевой особенностью новинки стало применение современного 4-нм техпроцесса для логического слоя и DRAM чипов шестого поколения 10-нм класса (1c), что позволило добиться рекордных характеристик без кардинальных изменений в архитектуре. Скорость работы достигает 11,7 Гбит/с, а максимальная – до 13 Гбит/с. Пропускная способность увеличилась до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза выше показателей HBM3E, что особенно важно для повышения эффективности обучения крупных языковых моделей ИИ. Инженеры также добились улучшения энергоэффективности на 40% при удвоении контактов ввода-вывода. На данный момент предлагаются модули на 24 и 36 ГБ, в то время как в будущем планируется выпуск 48 ГБ 16-слойных решений. Samsung ожидает, что к 2026 году спрос на HBM вырастет более чем в три раза по сравнению с 2025 годом, а в следующем году начнут тестирование HBM4E.