Учёные из Индийского научного института (IISc) достигли значительного прорыва в создании силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), что обещает сделать их более безопасными и удобными для высокотехнологичной электроники. Нитрид галлия, обладая способностью уменьшать энергопотери и размеры силовых модулей, сталкивается с медленным внедрением из-за ограничений в работе затвора, регулирующего ток. Исследователи выяснили, как управлять этими транзисторами, изучив особенности порогового напряжения. В процессе работы была разработана новейшая схема затворов, что значительно снижает утечку тока и повышает стабильность. В результате полученные устройства демонстрируют высокий порог напряжения и надёжное управление, что способствует организации эффективных преобразователей, используемых в электромобилях и возобновляемой энергетике. Такая инновация может ускорить адаптацию нитрида галлия в различных областях электроники.