Четвертый квартал 2023 года стал знаковым для TSMC, так как компания начала массовое производство 2-нм изделий на заводе Fab 22 в Гаосюне, Тайвань. По информации ресурса Tom’s Hardware, новый техпроцесс N2 обеспечит увеличение быстродействия на 10–15% при неизменном энергопотреблении либо снижение последнего на 25–30% без потери производительности. Плотность транзисторов возрастет на 15% для чипов смешанного дизайна, а для логических компонентов — до 20%. Впервые в этой технологии TSMC применяет транзисторы с окружающим затвором (GAA), что улучшает электростатические характеристики и снижает токи утечки. Ожидается, что в 2026 году объемы производства будут увеличены, включая чипы для AI и смартфонов. Вторая линия Fab 20 начнет выпуск 2-нм продукции позже, а к концу 2026 года компании освоят новые технологии N2P и A16, обеспечивающие еще большую производительность.