Компания Intel, совместно с imec, представила впечатляющие достижения в области производства двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов. На протяжении более десяти лет 2D-транзисторы исследовались в лабораториях, но теперь Intel продемонстрировала их интеграцию на 300-миллиметровых пластинах. Это событие указывает на реальную возможность массового производства таких полупроводников. Новые технологии, разрабатываемые лидерами отрасли, такими как Intel и Samsung, направлены на преодоление физических ограничений кремния, и 2D-материалы становятся ключом к этому. Intel представила инновационную схему интеграции контактов, которая позволяет создавать масштабируемые контакты, сохраняя целостность чувствительных 2D-каналов. Сотрудничество с imec направлено на снижение рисков, связанных с внедрением 2D-материалов в производственные процессы, что может привести к появлению новых технологий в будущем.