Несмотря на усилия американских властей при президенте Байдене ограничить южнокорейские компании в модернизации производств в Китае, Samsung и SK hynix нашли способы сохранить доступ к американскому оборудованию.
В 2022 году Samsung Electronics вложила $344 млн в обновление своего завода в Сиане, что на 67,5 % больше, чем в предыдущем году. Этот завод производит до 40 % объема микросхем памяти NAND для мирового рынка. Вложения в китайское предприятие были нерегулярными, однако в 2024 году Samsung планирует инвестировать еще $184 млн.
Конкурирующая SK hynix также значительно увеличила свои инвестиции и направила более $663 млн в свои заводы в Китае, включая $190 млн в Уси и $293 млн в Даляне. С ростом спроса на память в связи с развитием искусственного интеллекта, оба производителя активно расширяют производство. Samsung собирается наладить выпуск 236-слойной 3D NAND памяти в Китае, а SK hynix перейдет на четвертое поколение 10-нм техпроцесса для DRAM в уси, что обеспечит рост производства.