Китайскому производителю микросхем, компании ChangXin Memory Technologies (CXMT), предъявлены обвинения в утечке технологий производства микросхем памяти. Прокуратура Центрального округа Сеула подозревает, что эти технологии стали основой для значительного прорыва Китая в области вычислений с применением искусственного интеллекта, как сообщает Reuters. В результате расследования под стражу попали пять человек, включая бывшего руководителя и инженеров Samsung Electronics. Им предъявлены обвинения в нарушении закона о защите промышленных технологий. Другие пятеро были отпущены под залог. Прокуроры утверждают, что один из экс-исследователей Samsung скопировал сотни этапов запатентованных процессов производства DRAM, что впоследствии помогло CXMT начать выпуск 10-нанометровых микросхем. Эти действия нанесли ущерб таким компаниям, как Samsung на десятки триллионов вон. CXMT, планирующая выход на Шанхайскую биржу с оценкой 42 миллиарда долларов, недавно представила новое поколение DRAM DDR5, конкурирующее с продукцией Samsung.