Ключевым аспектом 2-нм техпроцесса является архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), обеспечивающая уменьшение утечек тока, повышение скорости на 10-15% и снижение энергопотребления на 25-30% по сравнению с 3-нм техпроцессом TSMC. Это особенно важно для серверов ИИ и мобильных устройств, где энергозатраты становятся критическим фактором. Samsung использует опыт GAA в разработке SF2P с новыми MBCFET-транзисторами, которые позволяют гибко регулировать производительность и энергопотребление. К 2025 году компания планирует достичь 60% выхода годных изделий для процессоров Exynos 2600. В связи с увеличением плотности мощности, жидкостное охлаждение чипов становится необходимым, особенно для ускорителей ИИ. Кроме того, 2-нм техпроцесс откроет двери для интеграции высокоскоростной памяти HBM4 и новых возможностей в ИИ. В этой гонке Apple, AMD и Google также стремятся занять свои позиции. Цены на 2-нм пластины варьируются, что привлекает клиентов. Первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ ожидаются к середине 2026 года, что позволит создать более точные модели реальности для развития робототехники и автономного транспорта. Долгосрочные перспективы 2-нм технологии ведут к новой эре 1,4-нм и требуют решения проблем, связанных с квантовыми эффектами.