На протяжении более десяти лет 2D-транзисторы, созданные на основе 2D-материалов, демонстрировались только в научных лабораториях, и их массовое производство оставалось недостижимым. Однако на этой неделе Intel Foundry и Imec представили технологию, готовую к производству 2D-полевых транзисторов (2DFET) на 300-миллиметровых подложках. Новая схема интеграции контактов и затворов совместима с существующими производственными процессами, что позволяет решать проблемы, связанные с хрупкостью 2D-каналов. В качестве материалов использовались сульфид вольфрама (WS2) и сульфид молибдена (MoS2) для n-типовых транзисторов, а селенид вольфрама (WSe2) — для p-типовых. Хотя внедрение таких транзисторов ожидается не ранее второй половины 2030-х, работа Intel и Imec снижает риски и ускоряет исследования в области проектирования микросхем с использованием 2D-материалов.