Micron Technology намерена вложить около 9,6 миллиарда долларов в создание новой производственной линии для памяти HBM в Хиросиме, Япония. Это решение обусловлено растущим спросом на высокоскоростную память, необходимую для искусственного интеллекта, что позволяет производителям, включая Micron, получать большую прибыль по сравнению с традиционными типами памяти, такими как DDR и GDDR.
Строительство нового завода начнется в следующем году, а массовое производство запланировано на 2028 год. В настоящее время Micron уже производит память LPDDR5x на своем существующем заводе в Японии с использованием передовых технологий, включая EUV-литографию. В то время как конкуренты, такие как Samsung, также планируют увеличить объемы производства DRAM, Micron сосредоточится на более прибыльной HBM, что может привести к дефициту других видов памяти и дальнейшему росту цен на оперативную память и видеокарты.