Институт физики микроструктур Российской академии наук представил дорожную карту, нацеливающуюся на разработку отечественных установок для экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что самые современные системы, способные производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и меньше, будут готовы примерно через десятилетие.
В отличие от литографов компании ASML, российские машины будут использовать уникальный набор технологий, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на базе ксеноновой плазмы. Это решение позволит избежать загрязнения фотошаблонов, что существенно снизит затраты на эксплуатацию. Также, упрощенная конструкция исключит необходимость в использовании иммерсионных жидкостей под высоким давлением.
Дорожная карта включает три ключевых этапа:
- 2026–2028: Создание литографа для 40-нм техпроцесса с производительностью более 5 пластин в час;
- 2029–2032: Разработка сканера для 14-нм чипов с производительностью свыше 50 пластин в час;
- 2033–2036: Создание системы для чипов с разрешением менее 10 нм и производительностью более 100 пластин в час.
В каждом поколении будет улучшаться оптическая система сканирования, при этом стоимость производства должна быть значительно ниже, чем у систем ASML Twinscan NXE и EXE.